Субмикронная литография

Реферат - Экономика

Другие рефераты по предмету Экономика

Скачать Бесплатно!
Для того чтобы скачать эту работу.
1. Подтвердите что Вы не робот:
2. И нажмите на эту кнопку.
закрыть



уемых круглым гауссовым лучем (а), лучем фиксированной квад-ратной формы (б), лучем переменной формы (в) и проецированием фигур (г).

Для топологического рисунка малой плотности, с изреженными окнами, обычно используют позитивный ЭЛ резист, негатив-ный же предпочтительнее, если доминируют области, подлежащие вскрытию.

Литографический прием, позволя-ющий избежать влияния фактора плотности элементов, состоит в контурном экспонировании фигур рисунка с последующим осажде-нием металла, излишки которого удаляются посредством электро-лиза. Эта технология образно названа “каньонной” литографией в связи с очерчиванием некоторых областей рисунка и истреблением промежутков между ними.Производительность ЭЛ установок складывается из производительности процессов экспонирования, совмещения, перемещения и подготовки топологической информации.

Время прорисовки изображения электронным лучом T равно сумме времени экспонирования te и ожидания tw:

T= te+ tw. (27)

Время tw включает в себя время численных преобразований, передвижения столика, регулировки позиционирования и т.д. Хотя tw не всегда пренебрежимо мало, мы сосредоточимся на главным образом на рассмотрении te. Если луч с плотностью тока j за время t засвечивает одновременно площадь a, то время, необходимое для экспонирования области площадью A, равно:

te=k(S/j)(A/a), (28)

где k отношение фактически сканируемой области к А, S чувствительность резиста.

Величина k определяется характером топологии и схемой сканирования (k=1 в растровой и k=0.2-0.4 в векторной). Таким образом, для сокращения времени экспонирования необходимо увеличить плотность тока луча j либо общий ток ja. Время ожидания состоит из времени обработки данных и времени установки подобласти экспонирования и столика.

При использовании луча переменной формы основными проблемами являются формирование элементов непрямоугольной формы и коррекция эффектов близости посредством разбиения фигур на области равной дозы. Такой способ коррекции связан с проблемами управления большими объемами данных и потерей производительности.

Резистный материал может взаимодействовать с компонентами ЭЛ систем, порождая такие проблемы, как загрязнение, накопление заряда, плохое совмещение и низкий срок службы оборудования, приводящий к росту затрат времени на ремонт.

 

Таблица 4. Сравнение ЭЛ-систем

различного типа.

 

Системы с круглым гауссовым лучомМноголучевые системыСистемы с лучем переменной формы

Преиму-

щества

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Недо-статки

Простота

Гибкость

Пригодность к изгото- влению фотошаблонов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Одновременно экспо-

нируется лишь одна точка

Высокая яркость ис-точника

Необходимость быстро действующих аналоговых электрон-ных схем

Параллельная обра-ботка (высокая эффек-тивность экспонирова-ния)

Малый ток в пучке

Не требуется быстро-действующих элек-тронных схем

 

 

 

 

 

Сложность перенаст-ройки

 

Сложность совмеще-ния

Использование малых токов луча

Параллельная обра-ботка (высокая эффек-тивность экспонирова-ния)

Гибкость, переменная форма луча

Пригодность для пря-мого экспонирования на пластине и изготов-ления фотошаблонов (EL-3)

 

 

Техническая слож-ность (высокая стои-мость)

 

Разрешение зависит от размера луча

Совмещение.

Послойное совмещение и совмещение рабочего поля в шаговых повторителях составляют часть проблемы точности совмещения топологий. Проектный допуск на точность совмещения предполагает такое размещение рисунка одного слоя приборной структуры над другим, что в приборе реализуются все его целевые характеристики. Общим для всех экспонирующих систем являются послойное совмещение и контроль ширины линии.

Метки для ЭЛ совмещения обычно изготавливаются в виде канавок или выступов в кремнии, а для повышения уровня сигнала обратнорассеянных электронов - из металлов большой атомной массы. В момент прохождения электронного луча над меткой регистрируется изменение количество обратнорассеянных электронов и размеры поля сканирования корректируются до полного совпадения с размерами кристалла. Сигнал совмещения сильно зависит от характеристик подложки, энергии электронного луча, композиции резиста и рельефа резистного покрытия над меткой.

В качестве детекторов могут использоваться микроканальные умножители, сцинцилляторы или диффузионные диоды; важно удовлетворить следующим требованиям:

1) чувствительность и точное позиционирование;

2) рассеяние и вобуляция луча должны быть меньше, чем размеры метки совмещения;

3) согласование размера и формы меток с толщиной резиста;

4) применение корректора данных с высоким отношением сигнал/ шум и петлей обратной связи, позволяющего менять поле сканирования для точного совмещения с кристаллом.

 

Эффекты близости.

Эффекты близости - основная проблема ЭЛ литографии. При энергии луча 25 кэВ и диаметре 1 мкм полуширина области обратного рассеивания электронов составляет 5 мкм, а при энергии 50 кэВ достигает 15 мкм. Длина пробега в обратном рассеянии пропорциональна Е1.7, где Е- энергия электронов падающего луча. Эффекты близости приводят к нежелате

s