Система моделювання Electronics Workbench

Методическое пособие - Компьютеры, программирование

Другие методички по предмету Компьютеры, программирование

Скачать Бесплатно!
Для того чтобы скачать эту работу.
1. Пожалуйста введите слова с картинки:

2. И нажмите на эту кнопку.
закрыть



ургійна границя в цьому випадку відповідає рівності концентрацій домішок. Усі реальні р-n-переходи плавні, ступінь їхнього наближення до східчастого залежить від градієнта ефективної концентрації в районі металургійної границі.

По співвідношенню концентрацій домішок у р- і n-шарах переходи поділяються на симетричні, несиметричні і однобічні. Симетричні переходи не типові для напівпровідникової техніки. Основне поширення мають несиметричні переходи, у яких концентрації не однакові. У випадку різкої асиметрії, коли концентрації домішок (а виходить, і основних носіїв) розрізняються на один-два порядків і більш, переходи називають однобічними.

Вольт-амперна характеристика р-n-перехода описується вираженням [12]:

 

I=I0(exp(U/Ut-1) (3.7)

 

де i струм через перехід при напрузі U, 1ОБ зворотний струм, Ut температурний потенціал, рівний при кімнатній температурі 26 мв.

Якщо до переходу підключити зворотна напруга, то при визначеному його значенні перехід пробивається. Розрізняють три види пробою: тунельний, лавинний і тепловий. Перші два звязані зі збільшенням напруженості електричного поля в переході, а третій зі збільшенням потужності, що розсіюється, і, відповідно, температури.

В основі тунельного пробою лежить тунельний ефект, тобто "просочування" електронів крізь тонкий потенційний барєр переходу. В основі лавинного пробою лежить "розмноження" носіїв у сильному електричному полі, що діє в області переходу. Електрон і дірка, прискорені полем на довжині вільного пробігу, можуть розірвати одну з ковалентних звязків напівпровідника. У результаті народжується нова пара електрон-дірка і процес повторюється вже за участю нових носіїв. При досить великій напруженості полючи, коли вихідна пара носіїв у середньому породжує більш однієї нової пари, іонізація здобуває лавинний характер, подібно самостійному розрядові в газі. При цьому струм буде обмежуватися тільки зовнішнім опором. Явище пробою знаходить практичне застосування в стабілітронах приладах, призначених для стабілізації напруги.

В основі теплового пробою лежить саморозігрів переходу при протіканні зворотного струму. З ростом температури зворотні струми різко зростають, відповідно збільшується потужність, що розсіюється в переході; це викликає додатковий ріст температури і т.д. Як правило, тепловий пробій не має самостійного значення: він може початися лише тоді, коли зворотний струм уже придбав досить велику величину в результаті лавинного або тунельного пробою.

Раніше (у розд. 3.4) ми вже говорили про барєрну ємність. Її прийнято розділяти на дві складові: барєрні ємності, що відбиває перерозподіл зарядів у переході, і дифузійну ємність, що відбиває перерозподіл носіїв у базі. Такий поділ у загальному умовно, але воно зручно на практиці, оскільки співвідношення обох ємностей по-різному при зміні полярності прикладеної напруги. При прямій напрузі головну роль грають надлишкові заряди в базі і, відповідно, дифузійна ємність. При зворотній напрузі надлишкові заряди в базі мала і головна роль грає барєрна ємність. Обидві ємності нелінійні: дифузійна ємність залежить від прямого струму, а барєрна від зворотної напруги.

Набір параметрів, що задаються, для діодів у EWB 5.0 помітно більше в порівнянні з EWB 3.1. Діалогове вікно для завдання параметрів діодів у EWB 5.0 складається з двох однакових по зовнішньому вигляді закладок (перша з них показана на Рис. 3.49), за допомогою яких можна додатково (у порівнянні з вікном на Рис. 3.38) задати наступні параметри:

N- коефіцієнт інжекції;

EG - ширина забороненої зони, ев; (для германія 0,72 эв, для кремнію 1,1 эв); FC - коефіцієнт нелінійності барєрної ємності прямо зміщеного переходу; BV - напруга пробою (позитивна величина, у EWB 3.1 вона прийнята негативної), У; для стабілітронів замість цього параметра використовується параметр VZT напруга стабілізації;

IBV початковий струм пробою при напрузі BV (позитивна величина), А; Для стабілітронів замість цього параметра використовується параметр IZT початковий струм стабілізації;

XTI температурний коефіцієнт струму насичення; KF коефіцієнт фліккер-шума;

AF показник ступеня у формулі для фліккер-шума; TNOM температура діода, С.

 

Мал.3.49. Діалогове вікно параметрів діодів.

 

а) б) в) г)

Мал.3.50. Еквівалентні схеми діода при розрахунку на постійному струмі(а), в діапазоні частот (б,в) і схема для дослідження прямої гілки ВАХ(г).

 

Еквівалентні схеми діода показані на мал. 3.50, а, б, на яких позначено: А анод, ДО катод, I джерело струму, Rs обємний опір, З ємність переходу, Gmin провідність, обумовлена витоками (у EWB 5.0 задається в діалоговому вікні, див. мал. 1.17). Вольт-амперна характеристика <ВАХ) діода визначається наступними виразами [67]:

для прямої галузі

 

I=I0(exp(U/(N*Ut))-1)+U*Gmin для U≥-5N*Ut;

 

для зворотньої гілки

 

I=I0(exp(U/(N*Ut))-1)+U*Gmin для 0≥U≥-5N*Ut;

I=-I0+Uч*Gmin для -BV<U<-5N*Ut;

I=-IBV для U=-BV;

I=I0{exp(-(U+BV)/(N*Ut)))-1)+BV/Ut для U<-BV}.

 

Тут IО = Is зворотний струм діода при температурі TNOM; N коефіцієнт інжекції; BV, IBV напруга і струм пробою; U, температурний потенціал переходу; U напруга на діоді.

При розрахунку перехідних процесів використовується еквівалентна схема діода (див. Рис. 3.50, б), для якої ємність переходу визначається за допомогою виражень [67]:

 

С=τ(di/dU)+CJO(1-U/Ut)-m для U<FC*VJ;

С=τ(di/dU)+CJO(F3-mU/Ut)/F2 для U≥FC*VJ;

 

У приведених формулах т час переносу заряду; CJO барєрна ємність при нульо

s