Синтез і дослідження оксидно-ідієвої кераміки з неомічною провідністю

Курсовой проект - Компьютеры, программирование

Другие курсовые по предмету Компьютеры, программирование

Скачать Бесплатно!
Для того чтобы скачать эту работу.
1. Пожалуйста введите слова с картинки:

2. И нажмите на эту кнопку.
закрыть



руму, при прикладанні до зразка постійної напруги. Кілька з них наведено на рис. 2.

Рис.4.2. часові залежності струму I=I(t) для різних значень постійної напруги зразків кераміки In2O3-Bi2O3

 

На залежностях струму від часу, знятих в області напруг, які відповідають ділянці 1 ВАХ, величина струму від часу не залежить і коливань не спостерігається, наприклад, часова залежність при 50 В (пряма лінія на рис.4.2). При прикладанні напруг, що відповідають ділянці 2 ВАХ, можна бачити процес появи коливань. Спочатку при досягненні порогової напруги виникають майже синусоїдальні коливання (синусоїда на рис. 4.2, відповідає напрузі 60 В). Потім із ростом напруги плавно зростає амплітуда коливань струму, зявляються синусоїдальні коливання з іншою частотою, як це видно з часових залежностей для 70 і 80 В на рис.4.2. Таким чином форма коливань змінюється від синусоїдального моногармонічного коливання (із частотою 1,75 Гц) до полігармонічного (i, можливо, навіть проявляється стохастичність коливального процесу), при цьому основна частота коливань зростає. Амплітуда коливань струму плавно зростає до 20 % від середньої величини струму. В області напруг, які відповідають ділянці 3 ВАХ, форма й частота коливань струму практично не змінюються з ростом напруги. Характерний вигляд коливань у цій області напруг демонструє часова залежність для 150 В (рис.4.2). Амплітуда ж коливань, проходячи через максимум при 200 В, із ростом напруги навіть дещо зменшується, як це видно з рис.4.3, де для кожної часової залежності було знайдено різниця між максимальною та мінімальною густиною струму.

 

Рис.4.3. Залежність напруги від густини струму.

 

На всіх досліджених зразках ефект обмеження струму завжди супроводжують коливання струму. Тому можна припустити, що це взаємозвязані явища і пояснюються вони на підставі єдиного механізму електропровідності. Коливання, ймовірно, викликані захопленням носіїв заряду на деяких межах зерен (МЗ), що веде до зменшення струму i збільшення падіння напруги на ключових потенціальних барєрах, зростання польової емісії електронів із локалізованих станів та відповідного зменшення висоти барєрів та збільшення струму. Зростання амплітуди коливань призводить до прояви нелінійності ВАХ i процес перестає бути гармонічним, що пояснює зміну форми коливань струму, яка спостерігається при збільшенні напруги в області ділянки 2 ВАХ.

Список викоростанних джерел

 

1. Stolichnov I., Tagantsev A.. J.Appl.Phys., 1998,V.84,No.6, p.3216-3225.

2.Глот А.Б., Бондарчук А.Н. Неорганические материалы.,1999,т.35,N5,c.637-640.

3. Matsuoka M. Advances in Varistor Technology. Ceramic Transactions.,1989,V.3, Ed. by L.M.Levinson,,p.3-9.

4.Glot A.B. Advances in varistor Technology., 1989,V.3, Ed. by L.M.Levinson, p.194-203.

5. Гольдман Е.И., Ждан А.Г.,ФТП,1976,т.10,№10, с.1839-1845.

6. T.R.N.Kutty, V.Ravi. Materials Science and Engineering, 1994, B25,119-131.

7. Бонч-Бруевич В.Л, Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. - Москва: Наука,1972.

s