Синтез і дослідження оксидно-ідієвої кераміки з неомічною провідністю

Курсовой проект - Компьютеры, программирование

Другие курсовые по предмету Компьютеры, программирование

Скачать Бесплатно!
Для того чтобы скачать эту работу.
1. Пожалуйста введите слова с картинки:

2. И нажмите на эту кнопку.
закрыть



ості їх ВАХ в залежності від деталей технологічного процесу.

Механізм обмеження струму в досліджуваних структурах звязаний з формуванням при їх виготовленні приелектродних областей підвищенного опору, тобто з появою відповідних потенційних барєрів. При цьому особливістю такого потенційного барєру на контакті являється прояв при деякій напрузі процесів захоплення основних носіїв заряду (електронів), що викликає зростання висоти барєру і обмеження зростання струму з напругою [5]. Імовірно, така особливість приелектродного барєру визначається природою кераміки на основі In2O3.

Пороговий характер механізму обмеження струму можна пояснити, наприклад, тим, що захоплення носіїв (і відповідаючи гальмування падіння висоти барєру) проявляється, коли висота барєру опиняється в достатній мірі зменшується під дією прикладеної напруги. Барєр веде себе як барєр біля центру з екранованим кулонівським потенціалом. Можна вважати, що з врахуванням сил зображення форма барєру на контакті відмінна від параболічної. В результаті впливу ефекту Шотткі висота барєру зі зростом напруги зижується і при невеликих напругах зявляється надлінійний зріст струму з напругою (рис.3.2). Коли висота барєру стане достатньо малою (а струм через барєр опиниться достатньо великим), захоплення електронів на стані контакту стає суттєвим. Це визначає тенденцію збільшення висоти барєру. В результаті чого зріст струму з напругою уповільнюється і спостерігається частина обмеження струму. Однак такий механізм декілька по-різному проявляється для двох типів досліджуваних структур, ВАХ яких представлені на рис.3.1 і 3.2.

Для структур на основі In2O3-Bi2O3 (рис.3.1) характерний слабкий ріст струму до вельми великих падінь напруг на зразку. Вірогідно в цьому випадку частина напруги падає також на обємі кераміки. Добавка Bi2O3 в цьому випадку, як і в випадку кераміки ZnO [4], може стимулювати формування потенційних барєрів на багато численних ГЗ оксиду Індія. Більш того, на границях зерен може виникати захват електронів і відповідне зростання висот барєрів. Це і пояснює досить великий опір таких зразків.

Для структур на основі In2O3-SrO (рис.3.2) порогові напруги невеликі (одиниці вольт), струм обмежується і спостерігається частина з відємною диференційною провідністю (ВДП). Подібна особливість ВАХ спостерігалась для структур на основі кераміки BaTiO3. Механізм ВДП, оснований на виникаючому при збільшенні напруги взаємному зміщенні по енергії заповнених і порожніх станів, розміщених по різні сторони геометричної границі зерен, в нашому випадку представляється малоймовірним.

Для здійснення ефекту ВДП (рис.3.2) можна спробувати використати представлення про формування домену сильного електричного поля [7].При такому підході враховується створення приелектродних областей просторового заряду. Тому при розробці механізму появи статичного домену сильного поля можуть бути корисними розглянуті вище якісні представлення про барєр з захопленням. Однак, не слід поки виключати можливості безпосереднього пояснення ефекту ВДП в моделі барєру з захопленням враховуючи деяких доповнюючи факторів, наприклад, падіння напруги в обємі, особливості електронної будови барєру, просторової локалізації захопленого відємного заряду та ін..

Таким чином, ефект обмеження струму в структурах на основі кераміки In2O3-Bi2O3 і In2O3-SrO обумовлений захопленням електронів на стани контакту або в області просторового заряду.

 

4. Обмеження та осциляції струму в напівпровідниковій кераміці

 

In2O3-Bi2O3

 

Оксидно-індієва кераміка з певними домішками має сублінійну вольт-амперну характеристику (ВАХ), на якій із збільшенням напруги зростання струму сповільнюється і спостерігається ділянка обмеження струму [1-3]. Для оксидно-індієвої кераміки з домішкою оксиду вісмуту ефект обмеження струму супроводжується пульсаціями струму, з частотою 0,2-2 Гц, що виникають при постійній напрузі на зразку [4]. В роботі розглянуто електричні властивості кераміки системи In2O3-Bi2O3.

Ефект низькочастотних коливань при постійній напрузі на зразку має місце незалежно від матеріалу електродів та вмісту добавки Bi2O3 (у дослідженому діапазоні кількість добавки впливає лише на величину граничної напруги, з якої починається обмеження струму). На рис.4.1 наведено приклади ВАХ зразків кераміки системи In2O3-Bi2O3 із різними електродами. Як видно з рисунка, ефект обмеження струму має місце для усіх наведених типів електродів. В області напруг, де є обмеження струму (на рис.1 це U100 В) ВАХ побудовано за середнім значенням величини струму, крім ВАХ, представлених кривими 5 і 6.

ВАХ зразків кераміки In2O3-Bi2O3 умовно можна розділити на три області (див. рис.4.1): 1 - область, де виконується закон Ома, 2 - область появи ефекту обмеження струму й виникнення коливань струму (приблизно від 60 до 110 В) і 3 - область, де постійний струм i амплітуда коливань струму з ростом напруги практично не змінюються.

 

Рис.4.1. ВАХ зразків кераміки In2O3-Bi2O3. 1 - область, де виконується закон Ома, 2 - область появи ефекту обмеження струму й виникнення коливань струму, 3 - область, де постійний струм i амплітуда коливань струму з ростом напруги практично не змінюються.

 

Для більш докладного дослідження коливань струму були зняті часові залежності струму I=I(t) для різних значень постійної напруги. Часові залежності було зареєстровано фотографуванням, з 10 секундною витримкою, екрана осцилографа, на якому відображався процес пульсації с

s