Синтез і дослідження оксидно-ідієвої кераміки з неомічною провідністю

Курсовой проект - Компьютеры, программирование

Другие курсовые по предмету Компьютеры, программирование

Скачать Бесплатно!
Для того чтобы скачать эту работу.
1. Пожалуйста введите слова с картинки:

2. И нажмите на эту кнопку.
закрыть



ий при високих температурах оксид CoO, де кобальт знаходиться в двовалентному стані. В результаті цього кобальт починає інтенсивно розчинятися в решітці оксиду цинку. Цей процес відповідний за створення глибоких рівнів в оксиді цинку і зелене забарвлення готової кераміки. В цій же області температур проходить плавлення фази с структурою пирохлора, ідентифікуєме методом високотемпературної рентгенівської дифракції. Поява рідкої фази інтенсифікує процес усадки (ущільнення) заготовки. Для ілюстрації цього процесу на рис.1.2 приведені результати дилатометрії спікаємої заготовки, показуючи різке зменшення лінійних розмірів спікаємої заготовки в вузькому температурному інтервалі.

Рис. 1.2. Залежність зміни розміру заготовки ZnO - Bi2O3 Sb2O3 Co3O4 MnO2 Cr2O2 від температури (дилатометрична крива)

 

Ці дані дозволяють вважати процес спікання оксидної кераміки рідко фазним. При подальшому нагріванні в спікаємій заготовці спостерігається лише дві кристалічні фази: ZnO та фаза з структурою шпінелі. Після помітної усадки спікаємого зразка різко інтенсифікується процес рекристалізації оксиду цинку, в результаті якого монокристалічні частки оксиду цинку с розміром порядку десятих долей мікрометра (рис.1.1) виростають в зерна оксиду цинку розміром 5-30 мкм за рахунок переносу речовини від дрібних частин з великою поверхневою енергією до великих частин з меншою поверхневою енергією.

При охолодженні до температур біля 1220 К виникає перехід рідкої фази на основі Bi2O3 в тверді фази: кристалічну фазу з структурою полі хлору і аморфну фазу на основі Bi2O3.Аморфна фаза може розпадатися з утворенням, в залежності від температурного режиму, фази ZnO. 24 Bi2O3 або високотемпературних модифікацій оксиду вісмуту β-Bi2O3, α-Bi2O3, опиняючихся стабільними і при низьких температурах завдяки розчинених в них другим атомам. Самі по собі процеси фазо створення без обліку ролі кисню зовнішнього середовища ще не вичерпують суті явищ, виникаючих при охолодженні спікає мого зразка. Принципово важливим є насичення границь зерен (ГЗ) оксиду цинку киснем, в результаті чого створюються потенційні барєри, визначаючі електрофізичні властивості оксидної кераміки.

 

2. Методика дослідження оксидно-індієвої кераміки

 

Зразки кераміки In2O3-SrO та In2O3-Bi2O3 отримані по традиційній керамічній технології. Змішування оксиду індію In2O3 з додаванням SrCO3 та Bi2O3 проводилось з використанням дистильованої води. Після сушки шлікера при температурі 400 К пресувались заготовки при тиску 46 МРа. Обпалювання заготовок виповнюється на повітрі при збільшенні температури з швидкістю 300 К/год. До температури обпалювання (Тобп), яка складає 1370 К у випадку In2O3-Bi2O3 та 1270 К для In2O3-SrO. Після витримки при Тобп протягом 1 години (In2O3-Bi2O3) чи двох годин (In2O3-SrO) заготовки охолоджуються разом з піччю з швидкістю приблизно 300 К/год. На пласку поверхню спечених заготовок наносяться електроди. В якості електродів застосовують: евтектика In-Ga (для In2O3-SrO) і Ag-паста, не потребуюча термообробки (для In2O3-Bi2O3). Для In2O3-Bi2O3 ефект обмеження спостерігався також і при використанні евтектики In-Ga та Al-пасти, випалюваної на повітрі при 870 К.

ВАХ на постійному струмі вивченні (джерела типу ТЕС 41 і ТВ1 і універсальні вольтметри В7-21) при збільшенні і зменшенні напруги. При досліді зразків в різній степені був помічений гістерезис ВАХ. В ряді випадків спостерігалась залежність струму від часу. Тому використовують два способи регістрації ВАХ. В одному із них фіксують значення струму, отримані в перший момент після встановлення напруги і після 30 секунд після подачі напруги, а потім напруга змінювалась. Для порівняння при другому способі регістрації ВАХ фіксують встановлене значення струму після достатньо тривалій витримці зразку під незмінною напругою. При цьому спостерігали задовільно якісне спів падання ВАХ, отриманих при обох способах регістрації.

Для вивчення товщинної залежності опору спочатку знімають ВАХ зразку In2O3-Bi2O3 з In-Ga електродами, а потім шлифкової зменшують його товщину, знову наносять In-Ga електроди і повторюють регістрацію ВАХ. Щоб зменшити можливий вплив крупно масштабної неоднорідності кераміки на досліджувану залежність струму, на кожному етапі зшліфовували один і той же шар зразку.

 

3. Дослідження оксидно-індієвої кераміки

 

На рис.1 приведені ВАХ зразків кераміки In2O3-Bi2O3. ВАХ містить лінійну область при малих напругах, вслід за якою наступає довга частина, де струм зростає менше ніж напруга. У даному випадку на нелінійній частині ВАХ коефіцієнт не лінійності =(U/I)(dI/dU)= 0,4 при U= 500 B. Значення <1 визначає прояв ефекту обмеження струму. ВАХ має деякий гістерезис.

Спостерігались відносно малі зміни струму з часом, але форма ВАХ мало відчутна до таких змін. На деяких зразках In2O3-Bi2O3 при фіксованій напрузі спостерігаються низькочастотні (0,2-2 Гц) коливання з амплітудою ~ 25 % від величини струму. Природа цих коливань поки що невідома.

Рис. 3.1. Вольт-амперна характеристика зразка кераміки In2O3 Bi2O3, знята двічі при збільшенні (1,3) і зменшенні (2,4) напруги.

 

Дані рис.3.1 не дозволяють відповісти на питання про те, чи контролюється опір зразку особисто його обємом чи приелектродними областями. Для зясування цього досліджені ВАХ зразку In2O3-Bi2O3 при варіації його товщини. В крайньому випадку, лінійні частини ВАХ незначно змінюються при варіації товщини зразку в границях 1,3-7,4 мм. Це означає, що опір зразку на лінійній частині ВАХ контролюється скоріше приелектродною областю, ніж обємом. Тому при пояс

s