20 задач по промышленной электронике

При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при наличии напряжения на стоке ток стока оказывается ничтожно малым. Он

20 задач по промышленной электронике

Реферат

Радиоэлектроника

Другие рефераты по предмету

Радиоэлектроника

Сдать работу со 100% гаранией
иод выпрямительный

2 диапазон основных параметров(мощность,основное назначение)

03 номер разработки

Д технологическое деление на параметрические группы

 

 

 

 

 

 

 

Шифр 04 Задача 4 Вариант8

Дано: R3= 50 кОм, R4= 70 кОм ,R5=0,35 кОм, Uвх= 15 В(синусоидальное), Определить амплитуды и формы напряжения на выходе. Начертить графики напряжений.(диоды считать идеальными). Типы диодов VD3-КД226А,

VD4-КД226А,VD5-ГД402А,VD6-КС131А.Входное напряжение синусоидальное.

Схема б

 

Расмотрим воздействие положительной части сигнала:

схема примет вид:

i1=i2=i3=0,

следовательно Uвых=i3 R3=0

 

 

 

 

Расмотрим воздействие отрицательной части сигнала:

схема примет вид:

i1=i2=Uвх/R3, i3≈0

следовательно Uвых≈0 (с учётом характеристик реальных диодов

Uвых= -Uпр , где Uпр-прямое напржение(падение напряжения на диоде VD4, когда он открыт))

Uвых=0 в любой момент времени.

Параметры диодов VD3 VD4,:

Uпр=1В,Uобр.макс.=400 В, Iпр.макс.=0,3 А, Iобр.=А

График напряжения на выходе,будет иметь вид:

Диоды идеальные

где,Т-период,А-амплитуда напряжения на входе, А*-амплитуда напряжения на выходе

 

 

 

Для реальных диодов график примет вид:

 

Схема В

Параметры диода VD5:тип ГД 402А Uпр=0,45В,Uобр.макс.=15 В, Iпр.макс.=0,03 А, Iобр.=А

Параметры стабилитрона VD6: тип КС 131А Uст=3,1В, Iст.макс.=0,081 А, Iобр.=А

 

 

Рассмотрим воздействие положительной части сигнала:

схема примет вид:

 

Следовательно: Диод VD5 открыт,его сопротивление меньше R5,через стабилитрон будет протекать ток стабилизации i= Uвх/R5=А, соответственно напряжение на выходе, будет равно Uвых=Uст=3,1 В

 

Рассмотрим воздействие отрицательной части сигнала:

схема примет вид:

следовательно : диод VD5 закрыт, i=-Iобр.=- А ≈ 0

Соответственно Uвых= 0

 

График напряжения на выходе,будет иметь вид:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Шифр 04 Задача 5 Вариант7

Построить ВАХ иследуемого стабилитрона,определить основные хар-ки.

Схема иследования

Данные иследования:

I,мА00,010,050,20,5412162050U,В00,5510203035404747

ВАХ стабилитрона

Согласно построенной ВАХ стабилитрона очевидно, что

I min стаб=5,5 А, Uстаб.= 47 В.

Из справочника данным параметрам приблизительно соответствует импортный аналог:

1N4756A, стабилитрон 47В

Мощность рассеяния,Вт:1Минимальное напряжение стабилизации,В:44.65Номинальное напряжение стабилизации,В:47Максимальное напряжение стабилизации,В:49.35Статическое сопротивление Rст.,Ом:80при токе I ст,мА:5.5Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА:16Рабочая температура,С:-55…200

 

 

 

 

 

 

 

Шифр 04 Задача 6 Вариант3

Дано:Uот=5 В, Rн= 11 Ом ,Uип=5 В

 

 

Схема с тринистором будет иметь вид:

Iн = Uп/Rн=5/11=0,45 А

 

 

 

 

 

 

 

Шифр 04 Задача 7 Вариант8

Дано:

№ вар.Структура транзистораПервое измерениеВторое измерениеРезультаты расчёта8n-p-nIб1,мкАIк1,мАIб2,мкАIк2,мАβα406,5608,51000.999Нарисовать схему эксперимента,обьяснить значение коэффициентов α и β, найти и исправить описку в таблице.

α- коэфициент передачи тока,характеризующий связь между приращениями эммитерного и коллекторного токов. На практике для характеристики усилительных свойств транзистора пользуются коэффициентом передачи тока эмиттера или, как его иначе называют, коэффициентом усиления по току a, который является отношением общего коллекторного переменного тока к общему эмиттерному переменному току в режиме короткого замыкания коллектора на базу по переменному току.

β- коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Коэффициент β перед показывает, как изменяется ток коллектора Iк при единичном изменении тока базы Iб

Схема эксперимента

 

 

Проверим результаты расчёта, данные в таблице:

Рассчитано верно

 

 

Рассчитано неверно

Ответ: описка, вместо 0,999 должно быть 0,9901

 

 

 

Шифр 04 Задача 8 Вариант4

Изобразить структуру,обозначение и передаточную хар-ку полевого транзистора,с изолированным затвором и индуцированным n-каналом.

Рисунок 2

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (рис. 2) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением (UЗИпор).

Принцип действия

При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при наличии напряжения на стоке ток стока оказывается ничтожно малым. Он представляет собой обратный ток p-n перехода между подложкой и сильнолегированной областью стока. При отрицательном потенциале на затворе (для структуры, показанной на рис. 2) в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших UЗИпор) у поверхности полупроводника под затвором возникает обедненный основными носителями слой эффект поля и область объемного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе, больших UЗИпор, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является каналом, соединяющим исток со стоком. Толщина и поперечное сечение канала будут изменяться с изменением напряжения на затворе, соответственно будет изменяться и ток стока, т. е. ток в цепи нагрузки и относительно мощного источника питания. Так происходит управление током стока в полевом транзисторе с изолированным затвором и с индуцированным каналом.

стоко затворная характеристика полевого транзистора со встроеным каналом n- типа.

 

 

 

 

Шифр 04 Задача 9 Вариант3

Полупроводниковые,газоразрядные индикаторы.Дать определение,принцип работы,условное графическое обозначение и область применения.Достоинства и недостатки.

Индикаторы газоразрядные, газонаполненные приборы для визуального воспроизведения информации. В И. г. используется главным образом свечение катодной области тлеющего разряда. Они имеют высокую надёжность, долговечность (до 10 000 ч), большую яркость (сотни - тысячи нит), малую потребляемую мощность. Различают И. г.: сигнальные, в которых информация представляется в виде точки или малой светящейся области (неоновые индикаторные лампы и индикаторы малых уровней напряжения); знаковые, в которых информация представляется в виде различных знаков, образуемых светящимися электродами, имеющими отдельные выводы; линейные (аналоговые и дискретные), в которых информация представляется в виде светящегося столбика (длина его пропорциональна силе тока, протекающего через прибор) или в виде светящейся точки (положение точки определяется числом импульсов, поданных на вход устройства, управляющего работой индикатора); матричные, в которых информация представляется в виде совокупности светящихся точек на плоском экране, состоящем из нескольких десятков тысяч газосветных ячеек, образующих матрицу из рядов и столбцов.

 

Условно-графическое изображение газоразрядного индикатора.

 

К недостаткам газоразрядных индикаторов, следует отнести высокие напряжения, низкую разрешающую способность, трудность получения всей цветовой палитры.

 

Полупроводниковые индикаторы являются одним из видов знакосинтезирующих индикаторов (ЗСИ), под которыми понимаются приборы, где информация, предназначенная для зрительного восприятия, отображается с помощью одного или совокупности дискретных элементов (ГОСТ 25066-81).

ППИ являются активными знакосинтезирующими индикаторами, в которых используется явление инжекционной электролюминесценции. Явление электролюминесценции в полупроводниковых материалах, т. е. излучение света р-n переходом, было впервые обнаружено и исследовано в 1923 г. О. В. Лосевым. Дальнейшие исследования отечественных и зарубежных ученых в 60 70-х годах позволили исследовать и определить перечень полупроводниковых материалов, обладающих высокой эффективностью преобразования электрической энергии в световую. Полученные значения светотехнических параметров позволили создать ППИ, пригодные для практического применения.

Условно-графическое изображение полупроводникового индикатора.

 

Излучение генерируется либо вну

Похожие работы

< 1 2 3 4 > >>