Радиоэлектроника

Радиоэлектроника

Расчет топологии толстопленочной микросхемы

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Подробнее

Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания

Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

В качестве схемы усилителя выберем стандартную схему включения транзистора с общим эмиттером (рис. 1) . Разделительный конденсатор С1 служит для передачи на вход транзистора VT1 усиливаемого переменного напряжения, а также исключает попадание на вход транзистора постоянного напряжения. Резисторы R1 и R2 образуют делитель для получения необходимого напряжения смещения на базе транзистора. Резистор R1 и конденсатор C2 обеспечивают температурную стабилизацию работы усилителя. В данной схеме резистор RН является нагрузкой.

Подробнее

Расчёт усилителя постоянного тока и источника питания

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

1 В формулах напряжение в вольтах, ток в мА, сопротивление в Ом, ёмкость в мкФ.

  1. Из таблицы [3, стр. 182, Т. №6] основных данных типовых Ш-образных пластин, по значению QC QО выбираем для сердечника трансформатора пластины типа Ш-14 с QО = 1,47 см2 ; ширина среднего стержня сердечника а = 1,4см; высота окна h = 2,1см и ширина окна b = 0,7см.
Подробнее

Расчет характеристик обнаружения при совместном когерентном и некогерентном накоплении

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

> 0,7, = 10 4-10 8).

  • Проанализировать полученные результаты. Сделать выводы.
  • .7. Рекомендуемая литература:
  • Теоретические основы радиолокации. Под ред. Я.Д. Ширмана, М.:Сов. радио, 1970;
  • РЭС: основы построения и теория. Справочник. Под ред Я.Д. Ширмана,- М.:ЗАО МАКВИС, 1998;
  • Сосулин Ю.Г. Теоретические основы радиолокации и радионавигации.- М.: Радио и связь, 1994.
  • Бакулев П.А., Сосновский А.А. Радиолокационные и радионавигационные системы. - М.: Радио и связь, 1994.
  • Подробнее

    Расчёт цепей переменного синусоидального тока

    Методическое пособие пополнение в коллекции 09.12.2008

    Подробнее

    Расчёт цепей постоянного тока

    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    2. Методом контурных токов рассчитать токи всех ветвей и напряжения всех элементов.

    Подробнее

    Расчет частотных характеристик активного фильтра второго порядка на операционном усилителе

    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    Суть метода состоит в том, что анализируемая RLC- цепь может представлена в виде: пассивной линейной R-цепи из которой выносятся реактивные элементы и независимые источники входных воздействий. Далее реактивные элементы и независимые источники представляются, как вектор состояния X(t) и вектор воздействия Xни(t) анализируемой цепи. Тогда полная система уравнений математической модели анализируемой цепи будет иметь вид:

    Подробнее

    Расчет ЧМ РПУ на ИМС

    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    Сравним соотношение между сигналом и помехой на входе приемника при частотной модуляции и при амплитудной модуляции. Положим, что амплитуда частотно-модулированного сигнала равна амплитуде амплитудно-модулированного (АМ) сигнала в момент ее наибольшего значения (фиг. слева) Интенсивность воздействия помехи на входе приемника в обоих случаях считаем одинаковой. Как видно из рисунка а), соотношения между сигналом и помехой при АМ колебаниях беспрерывно изменяются. При больших амплитудах сигнал значительно превышает помеху и ее влияние на прием незначительно, и, наоборот, при малых амплитудах, сигнал может быть на уровне помехи, и в этом случае помеха будет препятствовать нормальному приему. Следовательно, для обеспечения достаточной помехоустойчивости приемника при АМ колебаниях необходимо, чтобы минимальная амплитуда полезного сигнала превышала уровень помехи в достаточное число раз. Совершенно иное положение наблюдается при приеме ЧМ колебаний. Из рисунка б) видно, что соотношение между сигналом и помехой остается неизменным и по величине сохраняется таким же как в случае амплитудной модуляции в момент ее наибольшей

    Подробнее

    Расчёт элементов эмиттерно-связанной логике

    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    В схемах ЭСЛ транзисторы работают вне области насыщения, поэтому автоматически исключается задержка, вызванная избыточными зарядами. Основным свойством и достоинством схем ЭСЛ является небольшая задержка, величина которой у самых последних типов составляет около 0.01 нс. Принцип действия схем ЭСЛ логических схем с эмиттерной связью заключается в переключении точно определённого тока малыми изменениями управляющего напряжения, порядка десятых вольта. Поэтому первоначально их называли переключателями тока и обозначали CML и CSL. Эти схемы были хорошо известны в системах на дискретных элементах, но в связи с большим числом необходимых транзисторов они нашли широкое применение только после внедрения интегральной техники. Последовательно были созданы серии: ЭСЛІ, ЭСЛІІ, ЭСЛІІІ и Э2СЛ (ЭЭСЛ).

    Подробнее

    Расчетные работы по электротехнике

    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    I2=I22-I22=76,7+16,6=93,3 A ток во второй ветви.

    1. Метод узловых напряжений.
    Подробнее

    Регулировка цветных кинескопов

    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    Порядок регулировки чистоты цвета:

    1. Выключить красный и синий лучи.
    2. Передвигая отклоняющую систему вдоль горловины кинескопа, добиться появления на экране пятна, окрашенного в зелёный цвет.
    3. Раздвигая магниты чистоты цвета друг относительно друга, установить зелёное пятно в центре экрана.
    4. Передвигая отклоняющую систему вдоль горловины кинескопа, найти такое её положение, при котором возможно получение оптимальной чистоты цвета на большей части поверхности экрана. Если при этом будет наблюдаться нарушение чистоты цвета в углах, необходимо повторить регулировку, пользуясь магнитами чистоты цвета. Затем следует установить отклоняющую систему так, чтобы стороны растра были параллельны краям обрамляющей рамки, и закрепить её винтом. Закрепляя отклоняющую систему, следует поддерживать её за переднюю часть, что позволит избежать сдвига растра от ранее выбранного положения. Перед регулировкой статического сведения необходимо точно настроить телевизор (в положении АПЧГ «Ручная») так, чтобы на экране отчётливо воспроизводились вертикальные линии. Затем и в среднем положении регуляторов контрастности и яркости произвести фокусировку зелёного луча растра.
    Подробнее

    Релейная защита и автоматика трансформаторов

    Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

    Отключение трансформаторов от устройств релейной защиты при отсутствии выключателя на стороне высшего напряжения…………………………………..15

    Подробнее

    Реконструкция сельской АТС на базе цифровой станции SI-2000

    Дипломная работа пополнение в коллекции 09.12.2008

    Особенностью узла доступа является возможность его использования (параллельно с выполнением основных функций) в качестве цифроаналогового преобразователя сигнализаций. С его помощью возможно преобразование аналоговых соединительных линий в цифровые и их подключение к узлу коммутации. Для реализации этой функции разработан специальный периферийный съемный блок, имеющий восемь интерфейсов типа С11 для следующих систем сигнализаций:

    1. На телефонной сети общего пользования:
    2. четырехпроводная сельская универсальная сигнализация по одному ВСК;
    3. шестипроводная сельская универсальная сигнализация по одному ВСК.
    4. На ведомственных сетях:
    5. одночастотная сигнализация 2600 Гц с передачей сигналов управления методом МЧК- челнок для телефонной сети РАО "Газпром";
    6. одночастотная сигнализация 2600 Гц с передачей сигналов декадным кодом для телефонных сетей МПС и таможенного комитета России;
    7. одночастотная сигнализация 2100 Гц с передачей сигналов управления декадным кодом для телефонной сети нефтедобывающего комплекса;
    8. двухчастотная сигнализация 600/750 Гц с передачей сигналов управления декадным кодом для телефонной сети нефтедобывающего комплекса и РАО "Газпром";
    9. двухчастотная сигнализация 1200/1600 Гц с передачей сигналов управления декадным кодом для телефонной сети РАО "ЕС России". Возможно, использовать универсального использования каналов диспетчерами и обычными абонентами;
    10. E&M с передачей сигналов управления кодом DTMF для подключения систем спутниковой связи;
    11. E&M с передачей сигналов управления декадным кодом для подключения транкинговых систем подвижной связи.
    Подробнее

    Ремонт и обслуживание СВЧ печей

    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    При необходимости замены полупроводниковых проборов и микросхем нужно придерживаться следующих правил:

    1. Установка и крепление ПП должны производиться с сохранением герметичности корпуса прибора. Чтобы предотвратить появление в них трещин, изгиб выводов рекомендуется производить на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора. Для этого необходимо плоскогубцами жестко фиксировать выводы между местом изгиба и стеклянным изолятором.
    2. Замена ПП приборов, микросхем и микросборок производится только при отключенном питании проигрывателя. При демонтаже транзисторов из схемы сначала выпаивается коллекторная цепь. Базовые выводы транзистора необходимо подключать первыми и отключать последними. Нельзя подавать напряжение на транзистор, базовый вывод которого отключен.
    3. Пайка выводов ПП приборов производится на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора. Между корпусом и местом пайки следует применять теплоотвод.
    4. Паяльник должен быть небольшого размера, мощностью не более 40 Вт, с питанием от источника напряжения 12-42 В. Температура жала паяльника не должна превышать 190º C. В качестве припоя необходимо применять сплав с низкой температурой плавления (ПОСК-50-18, ПОСВ-33). Время пайки каждого вывода не более 3 с. Интервал между пайками соседних выводов микросхем не менее 10 с. Жало паяльника необходимо заземлить.
    5. При установке транзисторов и микросхем на радиаторы контактные поверхности должны быть чистыми, без шероховатостей, мешающих их плотному прилеганию. Контактные поверхности необходимо смазать теплопроводящей пастой КПТ-8.
    6. При эксплуатации микросхем и транзисторов необходимо строго соблюдать полярности питающих напряжений.
    Подробнее

    Ремонт и регулировка СМРК-2

    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    НеисправностьДополнительный признакВозможная причинаСпособ отыскания неисправностиНет изображения и звука на всех тв каналахШумы на экране и треск в динамической головке при касании отверткой входа ПЧ контакта 20 соединителя Х1 (А1.3) не появляютсяНеисправен субмодуля радиоканала СМРК-2Проверить неисправность цепи ПЧ сигнала от контактов 20 соединителя Х1 (А1) до выводов 1 и 16 ИС D2 (А1.3). Проверить режимы и исправность транзисторов VT1-VT3, исправность конденсаторов С1,С3-С5, С7,С8,С11 субмодуля СМРК-2, а также исправность фильтра D1 и ИС D2Нет изображения, растр и звук имеютсяПри касании металлической отверткой контакта 1 соединителя Х6 (А2) наблюдаются помехи на растреНеисправен РЭ между выводами 12 ИС D2(А1.3) и контактом 1 соединителя Х6 (А2)Проверить исправность резистора R33, дросселя L3, транзистора VT4, переменного резистора R41 и контактов соединителя Х1 (А1.1) и перемычки Х2N1Есть изобра-жение, нет звукаПри касании лезвием металлической отвертки контакта 3 соединителя Х9 (А9) слышен фонНеисправна микросборка D3 или РЭ в субмодуле СМРК-2 (А1.3), неисп-равен регуля-тор громкост.Проверить цепи регулировки громкости по изменению постоянного напряжения на выводе 7 микросборки D3 (А1.3) при перемещении движка регулятора громкости в БУ. Проверить исправность микросборки D3, после чего решить вопрос о ее заменеЧеткость изображения при выклю-чении системы АПЧГ более высокая, чем в режиме авто-подстройкиРасстроен контур системы АПЧГ в субмодуле радиоканала СМРК (А1.3)Осторожным поворотом сердечника опорного контура системы АПЧГ (L2C25) в СМРК-2 установить сердечник в положении соответствующее отсутствию искажений и наибольшей четкости по изображению УЭИТ или ТИТ-0249

    Подробнее

    Репрограммируемые ПЗУ

    Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

    В этом состоянии передаточная характеристика МНОП-транзистора занимает положение с более высоким порогом отпирания. Процесс программирования микросхем ЭСППЗУ происходит в два этапа. На первом этапе стирают информацию во всех МНОП - элементах памяти. Для этого импульсом напряжения отрицательной полярности, прикладываемым на затвор относительно подложки, с амплитудой 30 ... 40 В электроны вытесняются из подзатворного диэлектрика в подложку. Следовательно, при стирании информации элемент памяти получает состояние лог. 0. На втором этапе производят выборочную запись в нужные ЭП лог. 1 импульсом напряжения положительной полярности, подаваемым на затвор относительно подложки. На практике режимы стирания и записи осуществляют напряжением одной полярности: отрицательной для рМНОП - элементов и положительной для nМНОП - элементов памяти. Эта возможность основана на использовании явления лавинной инжекции электронов под затвор, которая происходит при соединении затвора с подложкой и подаче на сток и исток импульса напряжения относительно подложки и затвора такой полярности, чтобы переходы между подложкой и стоком, истоком оказались под обратным смещением. Амплитуда импульса должна быть достаточной для возникновения в переходах электрического пробоя. Типичные значения напряжения программирования лежат в пределах 20... 30 В. В результате электрического пробоя переходов в них происходит лавинное размножение носителей заряда и инжекция части этих носителей, обладающих достаточной кинетической энергией, на границу между слоями подзатворного диэлектрика. При считывании на затвор подают напряжение Uсч, значение которого лежит между двумя пороговыми уровнями. Если в МНОП-транзистор записана единица, то он откроется, а при нуле останется в закрытом состоянии. В зависимости от этого, как видно из рис. 2, г, в разрядной шине либо будет протекать ток на выход, либо нет. Усилитель считывания трансформирует состояние шины в сигнал с уровнем лог. 0 или лог. 1 на выходе микросхемы. Микросхемы с элементами памяти на рМНОП-транзисторах имеют сравнительно низкое быстродействие, высокое напряжение программирования 30 ... ... 40 В и требуют двух источников питания. Для улучшения характеристик микросхем ЭСППЗУ широко применяют технологию n-канальных МНОП-структур. Такие элементы памяти устроены аналогично рассмотренным, но имеют обратный тип проводимости подложки, стока и истока. Микросхемы на nМНОП-транзисторах обладают втрое превосходящим быстродействием, сниженным до 21 ...25 В напряжением программирования и работают от одного источника питания. Элемент памяти на транзисторе ЛИЗМОП с двойным затвором показан на рис. 2. Он представляет собой n - канальный МОП-транзистор, у которого в подзатворном однородном диэлектрике окисла кремния сформирована изолированная проводящая область из металла или поликрнсталлического кремния. Этот затвор получил название «плавающий», поскольку при наведении на нем электрического заряда его потенциал может изменяться в широких пределах, т. е. быть «плавающим». В режиме программирования на управляющий затвор, исток и сток подают импульс напряжения программирования положительной полярности с амплитудой 21 ...25 В. В обратносмещенных переходах стокподложка и исток подложка возникает процесс лавинного размножения носителей заряда и часть электронов инжектирует на плавающий затвор. В результате накопления на нем отрицательного заряда передаточная характеристика транзистора смещается вправо, т. е. в область более высокого порогового напряжения, что соответствует записи в элемент памяти лог. 0. Стирание записанной информации осуществляют вытеснением заряда с плавающего затвора. Эту процедуру выполняют дзумя способами; в микросхемах ЭСППЗУ импульсом напряжения на управляющем затворе положительной полярности, а в микросхемах СППЗУ с помощью УФ излучения, под воздействием которого в результате усиления теплового движения электроны рассасываются с плавающего затвора, перемещаясь в подложку. Состояние ЛИЗМОП-элемента памяти без заряда на плавающем затворе соответствует лог. 1.

    Подробнее
    << < 34 35 36 37 38