Радиоэлектроника

Радиоэлектроника

Расчет частотных характеристик активного фильтра второго порядка на операционном усилителе

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Суть метода состоит в том, что анализируемая RLC- цепь может представлена в виде: пассивной линейной R-цепи из которой выносятся реактивные элементы и независимые источники входных воздействий. Далее реактивные элементы и независимые источники представляются, как вектор состояния X(t) и вектор воздействия Xни(t) анализируемой цепи. Тогда полная система уравнений математической модели анализируемой цепи будет иметь вид:

Подробнее

Расчет ЧМ РПУ на ИМС

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Сравним соотношение между сигналом и помехой на входе приемника при частотной модуляции и при амплитудной модуляции. Положим, что амплитуда частотно-модулированного сигнала равна амплитуде амплитудно-модулированного (АМ) сигнала в момент ее наибольшего значения (фиг. слева) Интенсивность воздействия помехи на входе приемника в обоих случаях считаем одинаковой. Как видно из рисунка а), соотношения между сигналом и помехой при АМ колебаниях беспрерывно изменяются. При больших амплитудах сигнал значительно превышает помеху и ее влияние на прием незначительно, и, наоборот, при малых амплитудах, сигнал может быть на уровне помехи, и в этом случае помеха будет препятствовать нормальному приему. Следовательно, для обеспечения достаточной помехоустойчивости приемника при АМ колебаниях необходимо, чтобы минимальная амплитуда полезного сигнала превышала уровень помехи в достаточное число раз. Совершенно иное положение наблюдается при приеме ЧМ колебаний. Из рисунка б) видно, что соотношение между сигналом и помехой остается неизменным и по величине сохраняется таким же как в случае амплитудной модуляции в момент ее наибольшей

Подробнее

Расчёт элементов эмиттерно-связанной логике

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

В схемах ЭСЛ транзисторы работают вне области насыщения, поэтому автоматически исключается задержка, вызванная избыточными зарядами. Основным свойством и достоинством схем ЭСЛ является небольшая задержка, величина которой у самых последних типов составляет около 0.01 нс. Принцип действия схем ЭСЛ логических схем с эмиттерной связью заключается в переключении точно определённого тока малыми изменениями управляющего напряжения, порядка десятых вольта. Поэтому первоначально их называли переключателями тока и обозначали CML и CSL. Эти схемы были хорошо известны в системах на дискретных элементах, но в связи с большим числом необходимых транзисторов они нашли широкое применение только после внедрения интегральной техники. Последовательно были созданы серии: ЭСЛІ, ЭСЛІІ, ЭСЛІІІ и Э2СЛ (ЭЭСЛ).

Подробнее

Расчетные работы по электротехнике

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

I2=I22-I22=76,7+16,6=93,3 A ток во второй ветви.

  1. Метод узловых напряжений.
Подробнее

Регулировка цветных кинескопов

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Порядок регулировки чистоты цвета:

  1. Выключить красный и синий лучи.
  2. Передвигая отклоняющую систему вдоль горловины кинескопа, добиться появления на экране пятна, окрашенного в зелёный цвет.
  3. Раздвигая магниты чистоты цвета друг относительно друга, установить зелёное пятно в центре экрана.
  4. Передвигая отклоняющую систему вдоль горловины кинескопа, найти такое её положение, при котором возможно получение оптимальной чистоты цвета на большей части поверхности экрана. Если при этом будет наблюдаться нарушение чистоты цвета в углах, необходимо повторить регулировку, пользуясь магнитами чистоты цвета. Затем следует установить отклоняющую систему так, чтобы стороны растра были параллельны краям обрамляющей рамки, и закрепить её винтом. Закрепляя отклоняющую систему, следует поддерживать её за переднюю часть, что позволит избежать сдвига растра от ранее выбранного положения. Перед регулировкой статического сведения необходимо точно настроить телевизор (в положении АПЧГ «Ручная») так, чтобы на экране отчётливо воспроизводились вертикальные линии. Затем и в среднем положении регуляторов контрастности и яркости произвести фокусировку зелёного луча растра.
Подробнее

Релейная защита и автоматика трансформаторов

Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Отключение трансформаторов от устройств релейной защиты при отсутствии выключателя на стороне высшего напряжения…………………………………..15

Подробнее

Реконструкция сельской АТС на базе цифровой станции SI-2000

Дипломная работа пополнение в коллекции 09.12.2008

Особенностью узла доступа является возможность его использования (параллельно с выполнением основных функций) в качестве цифроаналогового преобразователя сигнализаций. С его помощью возможно преобразование аналоговых соединительных линий в цифровые и их подключение к узлу коммутации. Для реализации этой функции разработан специальный периферийный съемный блок, имеющий восемь интерфейсов типа С11 для следующих систем сигнализаций:

  1. На телефонной сети общего пользования:
  2. четырехпроводная сельская универсальная сигнализация по одному ВСК;
  3. шестипроводная сельская универсальная сигнализация по одному ВСК.
  4. На ведомственных сетях:
  5. одночастотная сигнализация 2600 Гц с передачей сигналов управления методом МЧК- челнок для телефонной сети РАО "Газпром";
  6. одночастотная сигнализация 2600 Гц с передачей сигналов декадным кодом для телефонных сетей МПС и таможенного комитета России;
  7. одночастотная сигнализация 2100 Гц с передачей сигналов управления декадным кодом для телефонной сети нефтедобывающего комплекса;
  8. двухчастотная сигнализация 600/750 Гц с передачей сигналов управления декадным кодом для телефонной сети нефтедобывающего комплекса и РАО "Газпром";
  9. двухчастотная сигнализация 1200/1600 Гц с передачей сигналов управления декадным кодом для телефонной сети РАО "ЕС России". Возможно, использовать универсального использования каналов диспетчерами и обычными абонентами;
  10. E&M с передачей сигналов управления кодом DTMF для подключения систем спутниковой связи;
  11. E&M с передачей сигналов управления декадным кодом для подключения транкинговых систем подвижной связи.
Подробнее

Ремонт и обслуживание СВЧ печей

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

При необходимости замены полупроводниковых проборов и микросхем нужно придерживаться следующих правил:

  1. Установка и крепление ПП должны производиться с сохранением герметичности корпуса прибора. Чтобы предотвратить появление в них трещин, изгиб выводов рекомендуется производить на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора. Для этого необходимо плоскогубцами жестко фиксировать выводы между местом изгиба и стеклянным изолятором.
  2. Замена ПП приборов, микросхем и микросборок производится только при отключенном питании проигрывателя. При демонтаже транзисторов из схемы сначала выпаивается коллекторная цепь. Базовые выводы транзистора необходимо подключать первыми и отключать последними. Нельзя подавать напряжение на транзистор, базовый вывод которого отключен.
  3. Пайка выводов ПП приборов производится на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора. Между корпусом и местом пайки следует применять теплоотвод.
  4. Паяльник должен быть небольшого размера, мощностью не более 40 Вт, с питанием от источника напряжения 12-42 В. Температура жала паяльника не должна превышать 190º C. В качестве припоя необходимо применять сплав с низкой температурой плавления (ПОСК-50-18, ПОСВ-33). Время пайки каждого вывода не более 3 с. Интервал между пайками соседних выводов микросхем не менее 10 с. Жало паяльника необходимо заземлить.
  5. При установке транзисторов и микросхем на радиаторы контактные поверхности должны быть чистыми, без шероховатостей, мешающих их плотному прилеганию. Контактные поверхности необходимо смазать теплопроводящей пастой КПТ-8.
  6. При эксплуатации микросхем и транзисторов необходимо строго соблюдать полярности питающих напряжений.
Подробнее

Репрограммируемые ПЗУ

Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

В этом состоянии передаточная характеристика МНОП-транзистора занимает положение с более высоким порогом отпирания. Процесс программирования микросхем ЭСППЗУ происходит в два этапа. На первом этапе стирают информацию во всех МНОП - элементах памяти. Для этого импульсом напряжения отрицательной полярности, прикладываемым на затвор относительно подложки, с амплитудой 30 ... 40 В электроны вытесняются из подзатворного диэлектрика в подложку. Следовательно, при стирании информации элемент памяти получает состояние лог. 0. На втором этапе производят выборочную запись в нужные ЭП лог. 1 импульсом напряжения положительной полярности, подаваемым на затвор относительно подложки. На практике режимы стирания и записи осуществляют напряжением одной полярности: отрицательной для рМНОП - элементов и положительной для nМНОП - элементов памяти. Эта возможность основана на использовании явления лавинной инжекции электронов под затвор, которая происходит при соединении затвора с подложкой и подаче на сток и исток импульса напряжения относительно подложки и затвора такой полярности, чтобы переходы между подложкой и стоком, истоком оказались под обратным смещением. Амплитуда импульса должна быть достаточной для возникновения в переходах электрического пробоя. Типичные значения напряжения программирования лежат в пределах 20... 30 В. В результате электрического пробоя переходов в них происходит лавинное размножение носителей заряда и инжекция части этих носителей, обладающих достаточной кинетической энергией, на границу между слоями подзатворного диэлектрика. При считывании на затвор подают напряжение Uсч, значение которого лежит между двумя пороговыми уровнями. Если в МНОП-транзистор записана единица, то он откроется, а при нуле останется в закрытом состоянии. В зависимости от этого, как видно из рис. 2, г, в разрядной шине либо будет протекать ток на выход, либо нет. Усилитель считывания трансформирует состояние шины в сигнал с уровнем лог. 0 или лог. 1 на выходе микросхемы. Микросхемы с элементами памяти на рМНОП-транзисторах имеют сравнительно низкое быстродействие, высокое напряжение программирования 30 ... ... 40 В и требуют двух источников питания. Для улучшения характеристик микросхем ЭСППЗУ широко применяют технологию n-канальных МНОП-структур. Такие элементы памяти устроены аналогично рассмотренным, но имеют обратный тип проводимости подложки, стока и истока. Микросхемы на nМНОП-транзисторах обладают втрое превосходящим быстродействием, сниженным до 21 ...25 В напряжением программирования и работают от одного источника питания. Элемент памяти на транзисторе ЛИЗМОП с двойным затвором показан на рис. 2. Он представляет собой n - канальный МОП-транзистор, у которого в подзатворном однородном диэлектрике окисла кремния сформирована изолированная проводящая область из металла или поликрнсталлического кремния. Этот затвор получил название «плавающий», поскольку при наведении на нем электрического заряда его потенциал может изменяться в широких пределах, т. е. быть «плавающим». В режиме программирования на управляющий затвор, исток и сток подают импульс напряжения программирования положительной полярности с амплитудой 21 ...25 В. В обратносмещенных переходах стокподложка и исток подложка возникает процесс лавинного размножения носителей заряда и часть электронов инжектирует на плавающий затвор. В результате накопления на нем отрицательного заряда передаточная характеристика транзистора смещается вправо, т. е. в область более высокого порогового напряжения, что соответствует записи в элемент памяти лог. 0. Стирание записанной информации осуществляют вытеснением заряда с плавающего затвора. Эту процедуру выполняют дзумя способами; в микросхемах ЭСППЗУ импульсом напряжения на управляющем затворе положительной полярности, а в микросхемах СППЗУ с помощью УФ излучения, под воздействием которого в результате усиления теплового движения электроны рассасываются с плавающего затвора, перемещаясь в подложку. Состояние ЛИЗМОП-элемента памяти без заряда на плавающем затворе соответствует лог. 1.

Подробнее

Рождение телевидения

Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

 

  1. Резников М.Р. Радио и телевидение вчера, сегодня, завтра.- М.:Связь,1977.-95с.
  2. Джигит И.С. История развития и достижения советского телевидения.// Радиотехника.- 1947.- №9.- С.39-43.
  3. Шамшин В.А. Телевидение.// Электросвязь.- 1975. - №9.- С.1.
  4. Талызин Н.В. Связь, телевидение, радиовещание.// Радио.- 1976.- №3.- С.1-3.
  5. Горохов П.К. Б.Л.Розинг - основоположник электронного телевидения.- М.:Наука,1964.- 120с.
  6. Бурлянд В.А., Володарская В.Е., Яроцкий А.В. Советская радиотехника и электросвязь в датах.- М.:Связь, 1975.- 191с.
  7. Добровольский Е.Е. Основные направления научно-технического прогресса радиосвязи, радиовещания и телевидения.- М.:Связь, 1974.- 56с.
Подробнее

Розрахунок вихідного двотактного трансформаторного підсилювача потужності в режимі роботи класу А аб...

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

 

  1. Вибір типу транзисторів та схеми їх включення.
  2. Визначення найбільшої потужності, яка виділяється в транзисторі.
  3. Розрахунок режимів роботи транзисторів по постійному і змінному струму.
  4. Визначення напруги джерела живлення підсилювача
  5. 5.Визначення потужності сигналу, яка віддається транзисторами у вибраному режимі їх роботи.
  6. Визначення коефіцієнта підсилення плеча каскаду по напрузі і потужності.
  7. Розрахунок коефіцієнта нелінійних спотворень вхідного сигналу.
  8. Визначення номінальних значень елементів схеми підсилювача і вибір 'їх типу.
  9. Електричний розрахунок трансформатора у вихідному колі підсилювача.
Подробнее

Рубиновый оптический квантовый генератор

Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

На угловую расходимость и деформацию волнового фронта наибольшее влияние оказывают механические напряжения и неравномерность концентрации хрома по сечению. Существующая в настоящее время технология выращивания рубинов не обеспечивает равномерное распределение хрома в поперечном сечении образца. Центральная часть образца имеет меньшую концентрацию хрома и, следовательно, меньший, чем на периферии образца, коэффициент преломления п. Кроме того, может иметь место скачкообразное изменение показателя преломления на границах некоторых участков кристалла. В результате роста в кристалле возникают и внутренние деформации. Все это приводит к тому, что образец со взаимно параллельными торцами в оптическом отношении эквивалентен рассеивающей линзе. Плоская волна, проходя через активную среду, из-за радиального изменения показателя преломления, вызываемого деформациями и неоднородностью концентраций хрома, в значительной степени искажается. Это приводит к повышенной расходимости лазерного луча и неоднородному распределению энергии в нем. В результате исследований показано, в частности, что внутренние механические деформации образца оказывают наиболее сильное влияние на угловую расходимость луча, распределение интенсивности излучения и селекцию мод. Распределение и величина напряжений в кристаллах определяются измерением положений интерференционных полос в картинах двойного лучепреломления, которые определяются изменением оптической длины пути для обыкновенного и необыкновенного пучков зависимостью:

Подробнее

Самолётная радиолокационная станция ЦД-ЗОТ

Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Усиленные опорные напряжения отрицательной полярности подаются на катоды каскадов совпадения 36П2, 36П4, 36П10, 36Ш2 (правые половины), открывая их. На управляющие сетки ламп каскадов совпадения подаются импульсы частоты повторения. Первый из прошедших через каскады совпадения импульс производит запуск мультивибраторов 36ЛЗ, 36П5, 36Л11, 36Л13. Импульсы положительной, полярности и длительностью 700 мксек с анодов мультивибраторов подаются на управляющие сетки вторых каскадов совпадения 36Л6, 36Л14 (обе сетки), на эти же лампы с линии задержки 36ЛЗ-1 подаются импульсы, задержанные относительно импульсов частоты повторения на 2,3,4 и 5мксек. При совпадении импульсов, поступающих с линии задержки с импульсами мультивибраторов, происходит запуск блокинг-генератора 36Л7 (левая половина). С третьей обмотки импульсного Трансформатора импульсы положительной полярности поступают на управляющую сетку смесителя, на другую управляющую сетку поступают не задержанные импульсы частоты повторения.

Подробнее

Сверхбольшие интегральные схемы

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Отечественным производителям электронной техники трудно конкурировать с зарубежными фирмами в области массового производства товаров широкого потребления. Однако в области разработки и создания сложной наукоемкой продукции в России сохранились условия, кадры, научный потенциал. Большое число предприятий и учреждений способно разрабатывать уникальные электронные устройства. Высокотехнологичным "сырьем" для таких разработок в области цифровой электроники служат легко доступные на отечественном рынке электронные компоненты: микропроцессоры, контроллеры, СБИС памяти и др. - все, что позволяет решать задачи специальной обработки сигналов и вычислений программным путем (со свойственными программной реализации достоинствами и недостатками). Микропроцессорная техника давно и прочно укоренилась в отечественных разработках. Однако в последние годы появилась новая элементная база - СБИС программируемой логики (programmable logic device - PLD), которая, удачно дополняя и заменяя микропроцессорные средства, в ближайшие годы станет "настольным материалом" для разработчиков. СБИС ПЛ оказываются вне конкуренции в областях, где требуется создание высокопроизводительных специализированных устройств, ориентированных на аппаратную реализацию. Аппаратное решение задач обеспечивает распараллеливание процесса обработки и увеличивает производительность в десятки раз по сравнению с программным решением, а использование СБИС ПЛ, в отличие от специализированных СБИС, обеспечивает такую же гибкость реализации, как у любых программных решений. В последние годы динамика развития и производства СБИС ПЛ. уступает только микросхемам памяти и превышает 50% в год.

Подробнее

Сверхпроводимость

Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Применение сверхпроводимости в турбогенераторах большой мощности перспективно потому, что именно здесь удается достигнуть того, чего при других технических решениях сделать невозможно, а именно, уменьшить массу и габариты машины при сохранении мощности. В обычных машинах это уменьшение всегда связано с увеличением потерь и трудностями обеспечения высокого КПД. Здесь этот вопрос решается радикально: массу турбогенераторов можно увеличить в 2-2,5 раза, в тоже время в связи с отсутствием потерь в роторе удается повысить КПД примерно на 0,5% и приблизиться для крупных турбогенераторов к КПД порядка 99,3%. Повышение КПД турбогенераторов на 0.1% компенсирует затраты, связанные с созданием генераторов на 30%. В этих условиях экономия энергии, получаемая за счет снижения потерь, очень быстро оправдывает те затраты, которые вкладываются в создание новых сверхпроводниковых машин. Экономически это, конечно, оправдано, но все дело в том, что для того, чтобы выйти в энергетику с большими машинами, нужно пройти очень сложный путь создания машин все больших мощностей. При этом нужно решать и более трудную проблему - обеспечение высокой надежности. Очень важным моментом в этой связи, является отработка токовводов при создании машин высокой мощности. Перепад температур на токовводах составляет около 300К, они имеют внутренние источники тепловыделения, и поэтому представляют собой один из наиболее напряженных в эксплуатационном отношении узлов сверхпроводникового электротехнического устройства, являясь потенциально опасным источником аварий в криогенной зоне. Поэтому, при разработке токовводов, в первую очередь необходимо обращать внимание на надежность их работы, обеспечивая ее даже в ущерб тепло- и электрохарактеристикам токовводов.

Подробнее

Сверхпроводящие материалы в электронике. Магнитометр на СКВИДах

Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Сверхпроводники первого рода при помещении их в магнитное поле «выталкивают» последнее так, что индукция внутри сверхпроводника равна нулю (эффект Мейсснера). Напряжонность магнитного поля, при котором разрушается сверхпроводимость и поле проникает внутрь проводника, называется критическим магнитным полем Нк. У сверхпроводников второго рода существует промежуток напряженности магнитного поля Нк2 > Н > Нк1, где индукция внутри сверхпроводника меньше индукции проводника в нормальном состоянии. Нк1 нижнее критическое поле, Нк2 верхнее критическое поле. Н < Нк1 индукция в сверхпроводнике второго рода равна нулю, Н > Нк2 сверхпроводимость нарушается. Через идеальные сверхпроводники второго рода можно пропускать ток силой: (критический ток). Объясняется это тем, что поле, создаваемое током, превысит Нк1, вихревые нити, зарождающиеся на поверхности образца, под действием сил Лоренца, двигаются внутрь образца с выделением тепла, что приводит к потере сверхпроводимости.

Подробнее
<< < 34 35 36 37 38